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本发明公开了一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法，包括碲锌镉CdZnTe衬底和沉积于碲锌镉衬底上的碲镉汞Hg1‑
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该专利属于昆明物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过昆明物理研究所授权不得商用。

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