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本发明公开一种薄膜体声波器件的制备方法，包括在硅衬底上刻蚀第一空腔，在第一空腔内沉积牺牲层，在牺牲层和部分衬底上沉积第一电极，在第一电极和另一部分衬底上依次一次性沉积压电薄膜、第二电极和保护层，刻蚀直到漏出压电薄膜，同时刻蚀分别得到Q值提升...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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