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本发明提供了一种栅极的切断方法及半导体器件，首先刻蚀部分厚度的栅极形成第一凹槽，第一凹槽的底部低于鳍结构的顶部，接着形成侧墙在第一凹槽的侧壁及底部，之后去除第一凹槽底部的侧墙，接着刻蚀第一凹槽底部暴露出的栅极至暴露出衬底，以在第一凹槽的底部...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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