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本发明提供一种相移光掩模结构及其制备方法，制备方法包括：提供一石英基底；通过第一阻挡层图形在石英基底中定义出相移区域；通过离子注入工艺将第一反应离子注入至石英基底的相移区域表层，第一反应离子与石英基底反应形成相移材料层，相移材料层的顶面与石...
该专利属于上海传芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海传芯半导体有限公司授权不得商用。

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