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本发明提供一种平坦化层、平坦化的方法及半导体芯片，其可有效地提高含有用于喷头的半导体芯片的晶片的可加工性。平坦化层的厚度介于约2微米到约3微米的范围内，且含有约8.0重量％到约8.5重量％的光酸产生剂；约2重量％到约3.6重量％的光引发剂；...
该专利属于船井电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过船井电机株式会社授权不得商用。

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