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本发明属于功率半导体器件技术领域，具体地说，是一种氧化镓横向肖特基二极管的结构及制造方法，包括由下往上依次排列的衬底、氧化镓外延层和钝化层，阳极电极与阴极电极穿通所述钝化层并嵌于所述氧化镓外延层中，且所述钝化层、电极、外延层与衬底的形状、尺...
该专利属于南京邮电大学南通研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学南通研究院有限公司授权不得商用。

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