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本发明属于片上集成的激光源技术领域，公开了一种表面等离激元增强的GaN基回音壁电泵激光器及其制备方法。该激光器从下到上包括衬底，缓冲层，n型掺杂GaN电流扩展层，多孔DBR层，n型掺杂GaN层，有源层，p型掺杂的电子阻挡层，p型掺杂GaN层...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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