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本发明提供了一种梳形电容器及其制造方法，方法包括：在衬底上交替层叠设置多个高掺杂多晶硅层和低掺杂多晶硅层；根据梳形电容器图像布局设计，在多晶硅层上端设置掩膜，进行第一次刻蚀，形成多晶硅柱；对多晶硅柱的一侧进行掺杂处理，将低掺杂多晶硅层的该侧...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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