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本发明提供了一种侧墙结构及闪存器件的制备方法，应用于半导体制造领域中。由于本发明所提供的闪存器件的制造方法中，其形成ONO侧墙结构时，是利用HTO工艺形成致密性及绝缘性较好的所述第一氧化物层，并进一步地对所述第一氧化物层进行RTO退火工艺，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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