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本发明涉及MEMS压力传感器及其制作方法技术领域。压力传感器，包括：衬底，衬底为单晶硅晶向(100)晶圆，或者为绝缘体上硅晶向(100)晶圆，包括第一压敏电阻和第二压敏电阻，第一压敏电阻和第二压敏电阻形制和阻值相同，第一压敏电阻和第二压敏电...
该专利属于苏州锐光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锐光科技有限公司授权不得商用。

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