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本发明提供了一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中Mg离子注入激活效率低导致的耐压和导通损耗问题。其包括：衬底、缓冲层、n
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该专利属于西安电子科技大学广州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学广州研究院授权不得商用。

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