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本发明属于忆阻器技术领域，针对传统忆阻器材料的电阻转变性能单一，并且缺少对器件稳定性调控的问题，提供了一种基于铟铝锌氧化物的神经形态忆阻器、制备方法及设备。其中，神经形态忆阻器包括由下到上依次设置的衬底、底电极、介质层和顶电极，所述顶电极和...
该专利属于山东大学深圳研究院山东大学苏州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学深圳研究院山东大学苏州研究院授权不得商用。

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