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本发明描述一种形成集成电路的方法(600)。所述方法首先(604)将半导体晶片定位在处理室中，且其次对所述半导体晶片的至少一部分进行激光退火(606)。所述激光退火包含使第一激光束跨越所述半导体晶片的所述至少一部分以具有第一方向的第一路径进...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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