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本实用新型公开一种高耐量高能效浮游型新型超结MOS场效应晶体管，包括漏极结构、多次外延结构、栅极结构、源极结构；漏极结构包括漏极金属层及N型衬底；多次外延结构包括设于N型衬底上方的N型外延层、多次外延P型柱，多次外延P型柱具有位于上段的上外...
该专利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州硅能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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