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本发明涉及一种改善氮化镓高电子迁移率晶体管性能的方法，属于第三代半导体材料技术领域，该方法包括以下步骤：S1、准备多个待辐照实验的GaN HEMT并分组；S2、将GaN HEMT固定在中能质子辐照终端的样品平台上；S3、对各组GaN HEM...
该专利属于中国原子能科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国原子能科学研究院授权不得商用。

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