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本申请公开了一种存储单元、存储器和电子设备，属于半导体技术领域。该存储单元包括沿第一方向排列的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管包括沿第一方向排列的第一栅极、第一半导体层和第二栅极；第二晶体管包括第三栅极以及环绕第三栅极的第二半导体层，第二...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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