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本发明属于凝聚态物理、材料研究领域,特别涉及一种Si(P)/H/WS2(RE)范德华异质结及其制备方法,制备方法包括:将WS2材料的其中一个W原子替换为稀土原子,形成WS2(RE)层;选择对晶体硅进行切面后掺杂非金属原子磷,采用H原子饱和掉...该专利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院重庆绿色智能技术研究院授权不得商用。
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本发明属于凝聚态物理、材料研究领域,特别涉及一种Si(P)/H/WS2(RE)范德华异质结及其制备方法,制备方法包括:将WS2材料的其中一个W原子替换为稀土原子,形成WS2(RE)层;选择对晶体硅进行切面后掺杂非金属原子磷,采用H原子饱和掉...