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本发明公开了一种梯度多层膜及其制备方法、表征方法。本发明的制备方法为：1)在第一粒子源前方放置第一掩膜板，在第二粒子源前方放置第二掩膜板；2)测量的粒子束分布矩阵f和多层膜中心的膜层生长速率R；3)根据R、f建立多层膜中的每一层膜沿基底长度...
该专利属于中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

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