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本申请公开了一种LED芯片的制备方法，所述制备方法先在第二半导体层背离有源层的一侧表面形成牺牲层，然后在牺牲层背离第二半导体层的一侧表面形成第一光阻层并进行图案化，然后刻蚀从第一光阻层外露的牺牲层，使第二半导体层外露，再在外露的第二半导体层...
该专利属于蒋振宇所有，仅供学习研究参考，未经过蒋振宇授权不得商用。

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