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本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种高效率蓝光半导体激光芯片。本发明提供的蓝光半导体激光芯片中，量子阱有源区包括多个交叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层沿生长方向依次为多个第一量子阱层、一个第二量子阱层和多个第三量子阱层，其中，沿生长方...
该专利属于深圳市星汉激光科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市星汉激光科技股份有限公司授权不得商用。

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