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本发明公开了一种鳍式场效应晶体管工艺中鳍结构的形成方法，包括：在衬底上生长核心层薄膜；进行第一次光刻和刻蚀，形成第一核心层图形和第二核心层图形，淀积刻蚀掩膜层；回刻刻蚀掩膜层，形成第一核心层图形的侧墙和第二核心层图形的侧墙；进行第二次光刻；...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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