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本发明提供了能够提高(dv/dt)c耐量的双向晶闸管。本发明的双向晶闸管具有：第一导电型第一半导体层及第一导电型第二半导体层(11、21)、第二导电型第一半导体层及第二导电型第二半导体层(13、12)、配置于第二导电型第三半导体层的多个载流...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

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