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本发明公开了一种高密度铁电存储器及其制备方法和应用，属于半导体存储器领域。该存储器由多个存储单元排成阵列，且存储单元阵列两侧由实质上正交的字线和位线相连，本发明的存储单元采用顶电极、阻变介质层、中间金属层、铁电介质层和底电极叠加结构，在电学...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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