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本发明涉及一种具备多重调控的沟槽型IGBT器件。其包括半导体基板以及元胞区；对任一元胞，包括元胞第一沟槽以及元胞第二沟槽，其中，在所述元胞第一沟槽与元胞第二沟槽之间设置多重调控区，多重调控区与元胞第一沟槽、元胞第二沟槽相应的外壁接触，且多重...
该专利属于江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。

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