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本文公开的是硅基薄膜和用于形成所述薄膜的组合物和方法。所述硅基薄膜包含<50原子％的硅。一方面，所述硅基薄膜具有组成Si
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该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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