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本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种非易失且可重构的同质互补型反相器及其制备方法。同质互补型反相器，包括衬底、位于衬底上的带有缺陷态的氧化物层、位于带有缺陷态的氧化物层上的二维半导体材料、位于二维半导体材料上的源漏金属电极以及金属接触点、...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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