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本发明属于半导体生产工艺技术领域，特别涉及一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法，该方法包括：选取半导体衬底；通过光刻技术在半导体衬底的上表面形成底电极图形；使用刻蚀工艺在半导体衬底上形成底电极图形凹槽，刻蚀后的衬底进行光刻胶去除和清洗处理；...
该专利属于中国人民解放军战略支援部队信息工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军战略支援部队信息工程大学授权不得商用。

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