温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种基于三维光线追迹的晶体电光调制方法，包括：根据晶体的主轴折射率，确定晶体的种类、光轴朝向、通光方向及外加电压方向；根据晶体的通光口径，晶体两端电压，晶体的电光系数确定折射率变化；确定电光调制时激光射入晶体时入射角和方位角的变化...
该专利属于中国人民解放军战略支援部队航天工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军战略支援部队航天工程大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。