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本发明涉及一种基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法，包括：在AlGaN/GaN外延片上依次生长介质层、金刚石散热层和硬掩模层；采用循环刻蚀技术在源极区域、漏极区域和台面隔离区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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