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本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(1)：(在式(1)中，Y1表示至少1个氢原...
该专利属于日产化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产化学株式会社授权不得商用。

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