温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括第一介电层，所述第一介电层中形成有贯穿所述第一介电层的第一互连结构；在所述第一互连结构的顶部形成盖帽层；形成所述盖帽层之后，在所述第一介电层和盖帽层的顶部形成应力缓冲层；在所述应力...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。