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本申请提供一种半导体结构及制备方法，在衬底的一侧形成介质层和贯穿介质层的通道，在通道的内壁、暴露出的衬底的表面和介质层远离衬底的一侧形成金属氮化层；等离子刻蚀金属氮化层，以去除金属氮化层在通道开口处形成的悬垂；对金属氮化层进行加热分解，形成...
该专利属于武汉楚兴技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉楚兴技术有限公司授权不得商用。

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