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本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体、至少两个第一提升装置、第一过渡仓，第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩埚通过连通部连通。第一炉体顶部设有第一开口。第一...
该专利属于北京中材人工晶体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中材人工晶体研究院有限公司授权不得商用。

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