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本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石衬底、GaN成核层、n
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该专利属于南通同方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司授权不得商用。

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