温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种P型多晶硅/AlGaN异质结耗尽型HEMT器件及其制备方法，器件包括：衬底；设置在衬底的上方的未掺杂的GaN层；设置在GaN层的上方的未掺杂的第一AlGaN层；设置在第一AlGaN层上方的含有Si掺杂的第二AlGaN层；设置...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。