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本发明涉及忆阻器件技术领域，尤其涉及一种基于三硫化钛/二氧化钛/三硫化钛横向异质结的忆阻器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法首先采用云母限域空间辅助化学气相运输法(CVT法)合成的TiS3纳米片，具有规则的形状、较大的二维尺寸、厚度较...
该专利属于哈尔滨工业大学（深圳）所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学（深圳）授权不得商用。

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