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本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有垂直复合钝化结构的GaN HEMT器件。本发明中带有(源)场板的GaN HEMT功率晶体管具有双层垂直复合钝化结构，利用具有高热导率的第一层介质材料和high k的第二层介质材料作为新型组合钝化设计，不...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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