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本发明公开了一种基于硬质掩膜的刻蚀方法及半导体器件，应用于集成电路技术领域，包括：在基底表面形成层堆叠，层堆叠包括从下至上依次设置的绝缘材料层、硬质掩膜层、顶层氧化层；在顶层氧化层上形成抗反射层并刻蚀抗反射层，以在抗反射层中形成底部暴露顶层...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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