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公开了包括沟槽栅极结构的半导体器件。一种包括碳化硅半导体本体中的沟槽栅极结构的半导体器件。沟槽栅极结构的至少一部分沿第一横向方向延伸。半导体器件包括第一导电类型的源极区，在沿第一横向方向的第一分段中邻接沟槽栅极结构。半导体器件包括第二导电类...
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