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本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法，包括：1)于硅基底中刻蚀出非对称深沟槽；2)形成硬掩膜层，进行第一热氧化工艺，生成第一氧化硅层；3)形成多晶硅层，多晶硅层在非对称深沟槽开口上方形成第一封口；4)刻蚀多晶硅层...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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