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本发明涉及覆铜板技术领域，具体为一种AMB覆铜陶瓷线路板及其制备方法；较现有负性感光干膜作图案转移材料的多次前处理、压膜、曝光、显影、去膜流程，本发明使用正性光刻干膜作为图案转移材料，仅通过一次前处理、压膜，多次曝光、显影，一次去膜流程即可...
该专利属于南通威斯派尔半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通威斯派尔半导体技术有限公司授权不得商用。

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