温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种具有改进终端结构的超结IGBT器件及制作方法，涉及半导体器件制造技术领域，包括：衬底，衬底的背面设有集电结构，集电结构的上表面设有有源区和终端区，有源区和终端区之间通过隔离沟槽隔离；有源区中形成有超结结构和栅极；终端区中设有深...
该专利属于嘉兴斯达微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴斯达微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。