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本发明为一种半导体层叠体，其至少包括基体、缓冲层及至少包含一种金属元素的具有刚玉结构的结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体在所述基体的主表面上直接或隔着其他层具有所述缓冲层、在所述缓冲层上具有所述结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层...
该专利属于信越化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越化学工业株式会社授权不得商用。

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