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本发明提供一种基于驱动电流和窗口改进的2D1R工艺方法及阵列，将p+有源区所在的第二个二极管通过CT与复位线相连接；并通过CT将第一个二极管的p型端与第二个二极管的n型端连接至metal层，将metal层与RRAM器件相连以形成RRAM阵列...
该专利属于昕原半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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