温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种三族氮化合物半导体发光二极管及其制造方法，该三族氮化合物半导体发光二极管包含衬底、第一三族氮化合物层及第二三族氮化合物层。该衬底具有第一表面及多个凸伸于该第一表面的凸部，各该凸部的周围被该第一表面围绕。该第一三族氮化合物层覆盖于该多个凸...
该专利属于先进开发光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进开发光电股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。