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本实用新型提供了一种碳化硅生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域，该碳化硅生长装置包括坩埚、籽晶载具、第一保温层和第一石墨纸，籽晶载具盖合在坩埚上，第一保温层包覆在坩埚外，且第一保温层的周缘开设有调温孔，第一石墨纸设置在第一保温层与坩埚之间，...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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