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本申请公开了GaN HEMT器件及其制备方法，其中，GAN HEMT器件包括：Al2O3衬底，具有第一表面和第二表面；本征GaN外延层，位于Al2O3衬底的第一表面；AlGaN外延层，位于本征GaN外延层的表面；h
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该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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