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本发明提供一种MRAM存储单元、磁性存储阵列、存储器，涉及磁性电子器件技术领域。该MRAM存储单元包括底电极、第一自由层、第一隧穿势垒层、固定层、第二隧穿势垒层、第二自由层和顶电极，其中，底电极用于写入不同方向的电流，使得第一自由层的磁化方...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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