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本申请公开了用于提升SIC外延片质量的卫星盘结构以及SiC外延生长设备，其中，卫星盘结构包括：多个卫星盘盘体，各卫星盘盘体分别转动安装在石磨盘对应的柱形槽上，卫星盘盘体上具有安装槽；均热密封片，滑动密封设置在卫星盘盘体的安装槽内，均热密封片...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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