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本发明公开了一种高纯二氧化钛平面靶材及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明所述高纯二氧化钛平面靶材的制备方法完全不加任何助剂，仅通过烧结、压制等步骤制备高纯度的二氧化钛平面靶材的方法。该方法同样无需特殊设备或者繁杂加工程序，在确保原料的纯...
该专利属于先导薄膜材料（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先导薄膜材料（广东）有限公司授权不得商用。

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